Transistortest von Bipolaren Transistoren....
entweder Basis-Emitter und Basis-Kollektor-Strecke
mit dem Diodentester eines Vielfachmessinstrumentes
durchmessen, ob die Diodenwirkung (einseitige
Durchlassrichtung) noch gegeben ist, dann die
C-E - Strecke noch auf Schluß messen.
Oder besser noch mit einem Kennlinienschreiber die
Kennlinie prüfen.
Transistortest von z.B. N-MOSFET-Transistoren:
Auch hier kann man den Ohmbereich eines Messgerätes nutzen.
Gate und Source kurz miteinander verbinden (Ladungsausgleich).
Man lege die negative Messstrippe
an Source und misst den Widerstand zum Drain.
Richtig wäre dann ein unendlich hoher
Widerstand. Nun nimmt man die Strippe vom Drain ab
und legt diese kurz an das Gate. Dadurch wird
dieses durch die Messspg. des Messgerätes geladen
und der Fet steuert durch. Bei einem
intaktem Fet sollten danach zw. S und D ein wesentlich
geringerer Widerstand messbar sein. Legt man dann
Gate und Source wieder kurz zusammen, kann Ladung vom Gate
abfliessen, so das zw. S und D wieder ein unendlich
hoher R zu messen ist. Das Spiel kann man beliebig
wiederholen. Aber auch dieser Test ersetzt keinen
Test mit einem Kennlinienschreiber, ist jedoch schon
recht zuverläßig und aussagekräftig.
Da dies alles doch sehr kompliziert ist, mein Tipp:
Schaffe dir ein Vielfachmessgerät mit integriertem
Transistortester an.
Juup, der zweite Link ist schonmal sehr hilfreich
