Photodioden bestehen zum Beispiel aus Silizium (für sichtbares Licht bis ca. 1 µm Wellenlänge), Germanium (für Infrarot bis etwa 1,8 µm Wellenlänge) oder anderen, inzwischen auch organischen Halbleiterdetektor-Materialien. Für einen ähnlichen Wellenlängenbereich wie den von Germanium sind Photodioden aus dem besser geeigneten Material InGaAs üblich[1].
Photodioden können auch für den Bereich des mittleren Infrarot (Wellenlänge 5–20 µm) gefertigt werden (CdTe-, Ge:Au-Dioden). Sie müssen dann allerdings zum Beispiel mit flüssigem Stickstoff gekühlt werden, weil die Wärmebewegung bei Raumtemperatur ausreicht, um Elektronen vom Valenzband ins Leitungsband zu heben. Dadurch wird der Dunkelstrom dieser Photodioden bei Raumtemperatur so groß, dass das zu messende Signal darin untergeht. Ein zweiter Grund für die Kühlung ist die ansonsten stattfindende Überlagerung der IR-Strahlung des Sensorgehäuses selbst.
Quelle: h t t p://de.wikipedia.org/wiki/Photodiode