Knolles Elektronik Forum
Elektronik => Allgemeine Elektronik => Thema gestartet von: highvoltage am Februar 04, 2011, 02:15:53 Nachmittag
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Hi
Habe einige Fragen zu MOSFets.
1. Wie hoch ist die Abfallspannnung?
2.Muss man sie immmer mit Dopppelter Betriebsspannnung ansteuern?
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Habe einige Fragen zu MOSFets.
1. Wie hoch ist die Abfallspannnung?
Was meinst Du mit Abfallspannung?
2.Muss man sie immmer mit Dopppelter Betriebsspannnung ansteuern?
Da weiss ich auch nicht, was Du meinst. Die Ansteuer-
spannung, also die Gate-Source-Spannung beträgt typisch
einige Volt und ist von Typ zu Typ verschieden. Am besten
sieht man im jeweiligen Datenblatt nach.
Gruss
Harald
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Hi,
bei den Power-Mos-Transistoren sind die Kanal-Widerstände von wenigen 10mOhm bis einige 100mOhm zu finden. Näheres im jeweiligen Datenblatt oder einer Übersichtsliste der Hersteller.
Der Laststrom mal dem Kanalwiderstand besimmt dann den Spannungsabfall zwischen Drain und Source.
Die Ansteuerung beträgt bei den standard-Typen bis zur Sättigung des Kanals (= kleinster Widerstand) etwa 10Volt.
Es gibt auch so genannte Logic-Level-FET, die schon bei etwas über 4V am Gate voll den CS-Kanal durchsteuern.
CU
st
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Habe einige Fragen zu MOSFets.
Da weiss ich auch nicht, was Du meinst. Die Ansteuer-
spannung, also die Gate-Source-Spannung beträgt typisch
einige Volt und ist von Typ zu Typ verschieden. Am besten
sieht man im jeweiligen Datenblatt nach.
Gruss
Harald
aber ich habe mal irgendwo glesen, das en MOSFET 388V schaltet und um volldurchzuschalten mit 412V angesteuert wird!
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Hi,
das was Du meinst sind "High-Side-Driver".
Schau mal im Schaltbild nach und vergegenwärtige Dir die Physik des MOS-FET.
"High-Side" bedeutet bei Gleichspannung, daß der Transistor an der +Ub-Seite eingebaut ist. Ein N-Kanal (haben geringere Kanalwiderstände) Typ wird dabei mit dem Drain-Anschluß an +Ub und mit dem Source-Anschluß an den Verbraucher angeschlossen. Der Verbraucher ist dann wiederum gegen Masse oder -Ub verdrahtet.
Die Gatespannung bezieht sich beim N-Kanal-Typ auf den negativsten Anschluß - was hier der Source-Anschluß ist.
(Bei P-Kanal wäre es der positivste Anschluß und da dieser mit Source an +Ub hängt, auch wieder der Source).
Die Gatespannung muß beim (sperrenden) N-Kanal genügend negative Ladungen in den Kanal ziehen - also eine positive Spannung gegenüber Source aufweisen. Das sind die ca. 10V bei standard-Typen und ca. 5V bei "Logic-Level"-Typen.
Wenn also in einem Power-Treiber an der +380V-Leitung ein sperrender N-Kanal-FET eingebaut wird, dann muß dessen Gatespannung (sehr kleiner Spannungsabfall Drain-Source vorausgesetzt) um diese 10V über der +Ub liegen - also mindestens bei absolut 390V.
Das wird entweder durch entsprechende Treiber-Schaltungen oder mit Hilfe von Kondensatoren und Dioden als Bootstrap realisiert.
Cu
st
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Für ne Mosfet-H-Brücke wäre das dan bei 2 Fets ja auch notwendig?
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>> Das wird entweder durch entsprechende Treiber-Schaltungen oder mit Hilfe von Kondensatoren und Dioden als Bootstrap realisiert.
> Für ne Mosfet-H-Brücke wäre das dan bei 2 Fets ja auch notwendig?
Du könntest für die "oberen" FETs ja auch P-Kanal-FETs
nehmen.
Gruss
Harald