Hi,
das was Du meinst sind "High-Side-Driver".
Schau mal im Schaltbild nach und vergegenwärtige Dir die Physik des MOS-FET.
"High-Side" bedeutet bei Gleichspannung, daß der Transistor an der +Ub-Seite eingebaut ist. Ein N-Kanal (haben geringere Kanalwiderstände) Typ wird dabei mit dem Drain-Anschluß an +Ub und mit dem Source-Anschluß an den Verbraucher angeschlossen. Der Verbraucher ist dann wiederum gegen Masse oder -Ub verdrahtet.
Die Gatespannung bezieht sich beim N-Kanal-Typ auf den negativsten Anschluß - was hier der Source-Anschluß ist.
(Bei P-Kanal wäre es der positivste Anschluß und da dieser mit Source an +Ub hängt, auch wieder der Source).
Die Gatespannung muß beim (sperrenden) N-Kanal genügend negative Ladungen in den Kanal ziehen - also eine positive Spannung gegenüber Source aufweisen. Das sind die ca. 10V bei standard-Typen und ca. 5V bei "Logic-Level"-Typen.
Wenn also in einem Power-Treiber an der +380V-Leitung ein sperrender N-Kanal-FET eingebaut wird, dann muß dessen Gatespannung (sehr kleiner Spannungsabfall Drain-Source vorausgesetzt) um diese 10V über der +Ub liegen - also mindestens bei absolut 390V.
Das wird entweder durch entsprechende Treiber-Schaltungen oder mit Hilfe von Kondensatoren und Dioden als Bootstrap realisiert.
Cu
st
