Effizente Transistoren

[highvoltage]

Wenn ich einen Transistror der mit 8A Spezfizert ist mit 2A belaste dann wird er Heiß => Verlustleistung
Gibt es auch Transistoren bei denen das nicht so ist?
wenn ja welcher und $ ?

[el-haber]

Hi,
grundsätzlich sollte eine geringere Last als die angegebene max-Last zu keinen Problemen führen.
Aber Du solltest immer auch auf die Leistung im Arbeitspunkt achten.
Diese berechnet sich aus Uce*Ic.
Wenn der Transistor "schalten" soll, dann darf Uce zu ca. 0,6V angenommen werden (einfache Übersteuerung).
In Verbindung mit den 2A ergibt sich so eine Verlustleistung von mindstens 1,2W! Das wird Heiß!

Anders verhalten sich MOS-FET. Diese haben eine höhere Steuerspannung, dafür aber kaum einen Steuerstrom. Die Schaltwiderstände sind bei unter 0,1Ohm (BUZ11) bei 10V Ansteuerung am Gate (Basis). Bei 2A Strom fallen also nur 200mA ab und die Verlustleistung ist damit bei max. 0,4W.

CU
St.

[highvoltage]

Wäre die Beschaltung so richtig:
Source=Ermitter
Gate=Basis
Drain=Collector

[el-haber]

Ja - und Source an Masse bei N-Kanal anreicherungstyp wie BUZ11.
Steuerspannung am Gate bis 12 V notwendig!

[highvoltage]

Steuerspannung am Gate bis 12 V notwendig!

was heißt das

[el-haber]

Bei MOS-FET-Transistoren stellt das Gate gegenüber dem
"Kanal" zwischen Source und Drain einen Kondensator mit ca. 30pF dar. Es fließt kein Strom - aber es sind starke elektrische Felder nötig, um die Ladungsträger in den Kanal zu ziehen (Feldeffekt) und damit den Transistor zwischen Sund D leitend zu machen.

Typischerweise fangen diese beschriebenen alten Typen bei 3V an, leitend zu werden und erreichen bei ca. 10V Spannung am Gate im Bezug auf Source ihre volle Leitfähigkeit.

Bei schnellen Schaltaufgaben ist die Kenntniss der Gate-Kapazität wichtig und fordert entspechenden Stromimpuls.

Cu
st.